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GAN-FET: Klangtreue im Klasse-D-Verstärker verbessert
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Galliumnitrid :: gallium nitride (GaN) :: ITWissen.info
ISBN 9783843940849
Design und Entwicklung einer High-Electron-Mobility Transistor Technologie für Leistungsbauelemente zur Charakterisierung von epitaktisch gewachsenem Galliumnitrid auf 150 mm Si-Wafern : Schuster, Martin: Amazon.de: Bücher
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High-electron-mobility transistor – Wikipedia
